產品名稱:CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器
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更新時間:2024-04-07
產品簡介:CVD(Chemical Vapor Deposition)和MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是兩種常用的化學氣相沉積技術,用于制備薄膜、涂層和納米材料等。
CVD(Chemical Vapor Deposition)和MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是兩種常用的化學氣相沉積技術,用于制備薄膜、涂層和納米材料等。
CVD是一種通過在反應室內將反應物質以氣體形式傳輸并在襯底表面發(fā)生化學反應,從而在襯底上形成所需材料的方法。該過程涉及到化學反應、氣體輸運和表面擴散等多個步驟。在CVD過程中,通過控制反應氣體的組成、流速、溫度和壓力等參數,可以實現對所生長材料的成分、結構和性能的精確控制。
而MOCVD是一種特殊的CVD技術,主要用于生長復雜化合物薄膜,如半導體材料、光電材料等。MOCVD利用金屬有機前驅物(通常是金屬有機化合物)和載氣(如氫氣、氮氣)在高溫條件下反應,使金屬有機前驅物分解并釋放金屬原子,然后這些金屬原子與載氣中的其他氣體反應,最終在襯底表面形成所需薄膜。
CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器由超純水機制取二級水,并儲存至水箱備用。氫氣發(fā)生器缺水時,自動供給至氫氣發(fā)生器。多臺氫氣發(fā)生器可串聯使用,通過串聯控制線由一臺發(fā)生器控制其他發(fā)生器,實現產氣均勻分配。(以兩臺設備為例控制圖如下)
CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器主要特點:
1、儀器的全部工作過程均由程序控制,自動恒壓、恒流,通過串聯控制線,可實現多組并聯使用。
2、使用固態(tài)電解質(PEM)法產生氫氣,以超純凈水原料,以固體聚合物為電解質,貴金屬做電極有效的除濕裝置,降低了原始濕度,純度穩(wěn)定。
3、操作方便使用時只需打開電源開關即可產氫,使用后無需泄壓,直接關閉電源即可??蛇B續(xù)使用,也可間斷使用,產氫量穩(wěn)定不衰減。
4、安全可靠:配有安全裝置,電解超純水制氫,無腐蝕、無污染,配有壓力控制,缺水自動監(jiān)控,漏氣自動檢測。
5、配備純水系統(tǒng),完成自來水進水完成大流量的氫氣制備。
CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器主要參數:
參數編號 | 參數名稱 | 參數值 |
---|---|---|
1 | 氫氣純度 | 99.9999-99.99999% |
2 | 氫氣流量 | 1L-17L/min |
3 | 輸出壓力 | 0-80psi(約0.5MPa) |
4 | 壓力穩(wěn)定性 | 0.001MPa |
5 | 供電電源 | 220V±10% 50HZ |
6 | 消耗功率 | 8kw(HYDROGEN-17L) |
7 | 純水需求 | >2MΩ&1L/h |
8 | 氫氣容積 | <20L(HYDROGEN-17L) |
9 | 環(huán)境溫度 | 1-40℃ |
10 | 相對濕度 | <85% |
11 | 海拔高度 | <2000米 |
12 | 外形尺寸 | 80x90x100(WxDxH cm)(HYDROGEN-17L) |
13 | 凈 重 | 約200kg(HYDROGEN-17L) |
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